800V直流架构升级：宽禁带功率器件驱动数据中心供电变革（2026年 24页）

分类：研究报告

标签：800V直流架构、碳化硅、氮化镓、数据中心供电

摘要：随着AI算力需求爆发，数据中心单机柜功率密度持续跃升，传统12V供电架构在能效与空间上逼近极限，800V直流（800V DC）架构成为支撑高密智算的关键演进方向。报告系统分析了功率密度提升如何驱动供电架构升级，以及宽禁带功率器件（碳化硅SiC与氮化镓GaN）在其中的增量空间。在AI数据中心供电链中，PDU之后分为Power Rack（交流转直流）与IT Rack（直流转直流）两大环节：SiC凭借高压、低损耗特性，主要承担Power Rack中AC/DC的整流与功率变换；GaN凭借高频、高功率密度特性，主要承担IT Rack中DC/DC的降压与储能变换。报告将供电架构演进划分为四个阶段：Sidecar（外挂电源架）阶段，以1MW为例约需612颗SiC器件与相当数量的GaN器件；板载（on-board）阶段将电源进一步贴近负载；集中整流阶段提升功率密度；最终走向SST（固态变压器）阶段，实现更高效的电能路由。每一阶段的推进都伴随器件用量与价值量的结构性提升，宽禁带半导体由此打开长期成长空间。相较传统12V架构，800V直流将母线电压大幅提升，显著降低大电流下的铜损与线缆重量，提升电源转换效

来源：zuudee | 日期：2026-08-09 | 格式：pdf | 页数：24